外延生長實(shí)際上主要是一個(gè)化學(xué)反應(yīng)過程。硅外延生長使用的主要?dú)庠词菤錃夂吐裙柰轭悾缢穆然瑁⊿iCl4）、三氯甲硅烷（SiHCl3）和二氯甲硅烷（SiH2Cl2）。另外，為了降低生長溫度，也經(jīng)常使用硅烷作為氣源。選擇使用哪種氣源主要由生長條件和外延層的規(guī)格來決定的，其中生長溫度是選擇氣源種類時(shí)要考慮的最重要因素。硅外延層生長速度和生長溫度的關(guān)系。圖中顯示了兩個(gè)明顯不同的生長區(qū)域，在低溫區(qū)（區(qū)域A），硅外延層的生長速度和溫度成指數(shù)關(guān)系，表明它們受表面反應(yīng)控制；而在高溫區(qū)（區(qū)域B），其生長速度和溫度幾乎沒有直接的關(guān)系，表明它們受質(zhì)量輸運(yùn)或者擴(kuò)散的控制。需要著重指出的是，在低溫條件下生長的硅薄膜為多晶層。硅外延層的形成溫度在每條曲線的轉(zhuǎn)折點(diǎn)以上，轉(zhuǎn)折點(diǎn)的溫度隨著反應(yīng)物的摩爾比、氣流速度以及反應(yīng)爐的種類變化而變化。從這張圖中可以推斷出：當(dāng)以SiH4為氣源時(shí)，硅外延層的形成溫度大約在900℃，而以SiCl4為氣源時(shí)，硅外延層的形成溫度大約在1 100℃。